美國《科學》雜志21日刊登了北京大學信息科學技術學院彭練矛和張志勇課題組在碳納米管電子學領域取得的世界級突破：首次制備出5納米柵長的高性能碳納米晶體管，并證明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS(互補金屬—氧化物—半導體)場效應晶體管，將晶體管性能推至理論極限。

因主流硅基CMOS技術面臨尺寸縮減的限制，20多年來，科學界和產業界一直在探索各種新材料和新原理的晶體管技術，但沒有機構實現10納米的新型CMOS器件。彭練矛教授表示，他們課題組經過10多年的研究，開發出無摻雜制備方法，研制的10納米碳納米管頂柵CMOS場效應晶體管，其p型和n型器件在更低工作電壓(0.4V)下，性能均超過了目前最好的硅基CMOS。現在，他們又克服了尺寸縮小的工藝限制，成功開發出5納米柵長碳納米晶體管。

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　　原標題：我國碳納米研究獲世界級突破 3概念股受關注