6 月 29 日消息，比利時微電子研究中心 (IMEC) 以及 ASML 今日宣布，雙方將在開發最先進高數值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻試驗線的下一階段加強合作，為使用半導體技術的行業提供原型設計平臺和未開發的未來機遇。

今天簽署的諒解備忘錄旨在幫助使用半導體技術的產業了解先進半導體技術帶來的機遇，并獲得一個支持其創新的原型平臺。imec、ASML 和其他合作伙伴之間的合作將使探索新型半導體應用成為可能，為芯片制造商和最終用戶開發可持續的、前沿的制造解決方案的可能性，以及與設備和材料生態系統合作開發先進的整體圖案流動。

IT之家從官方新聞稿中看到，雙方簽署的諒解備忘錄包括在比利時魯汶的 IMEC 試驗線安裝和服務 ASML 的全部先進光刻和測量設備，包括最新的 0.55 NA EUV(TWINSCAN EXE:5200)、0.33 NA EUV(TWINSCAN NXE:3800)、DUV 浸沒(TWINSCAN NXT:2100i)、Yieldstar 光學測量和 HMI 多光束等。這意味著該試點線將具有非常重要的價值，特別是在高級試點線上。

官方表示，這項開創性的新高 NA 技術對于開發高性能、節能型芯片至關重要，例如下一代 AI 系統。它還能夠用于解決我們社會面臨的一些主要挑戰的創新深度技術成為可能，例如醫療保健、營養、移動 / 汽車、氣候變化和可持續能源等領域。

為確保在 2025 年之后實現行業范圍內的廣泛訪問高級 NA EUV 光刻技術，需要進行大量的投資，并保持與歐洲相關的先進節點過程研發能力。

據介紹，這一諒解備忘錄啟動了 ASML 和 IMEC 在高級 NA EUV 上的下一階段密集合作。第一階段的工藝研究正在使用第一臺高級 NA EUV 掃描儀 (TWINSCAN EXE:5000) 在 imec-ASML 高級 NA 實驗室中執行。

IMEC 和 ASML 將與所有領先的芯片制造商、材料和設備生態系統合作伙伴合作，目的是為最快可能地大規模制造做好技術準備。

在下一階段，這些活動將在比利時魯汶市 IMEC 試點線的下一代高級 NA EUV 掃描儀 (TWINSCAN EXE:5200) 上加速進行。

“ASML 正在向 IMEC 最先進的試點工廠做出實質性承諾，以支持歐洲的半導體研究和可持續創新。隨著人工智能 (AI) 迅速擴展到自然語言處理、計算機視覺和自主系統等領域，任務的復雜性不斷增加。因此，開發能夠滿足這些計算需求而不耗盡地球寶貴資源的芯片技術至關重要，” ASML 總裁兼首席執行官 Peter Wennink 說。

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　　 原標題：全球快看點丨ASML和IMEC宣布雙方將在開發最先進高數值孔徑極紫外刻試驗線的下一階段加強合作