半導體激光器是幾能級?

3級。

半導體激光在1962年被成功激發，在1970年實現室溫下連續輸出，輸出連續激光大于500mW，是3級。

激光器能發射激光的裝置，1954年制成了第一臺微波量子放大器，獲得了高度相干的微波束，1958年肖洛和湯斯把微波量子放大器原理推廣應用到光頻范圍，1960年梅曼制成了第一臺紅寶石激光器。

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介于導體和絕緣體之間，叫做半導體。半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關系可制成自動控制用的熱敏元件(熱敏電阻);利用它的光敏特性可制成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導體還有一個最重要的性質，如果在純凈的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極管、三極管等。把一塊半導體的一邊制成P型區，另一邊制成N型區，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結。圖中上部分為P型半導體和N型半導體界面兩邊載流子的擴散作用(用黑色箭頭表示)。中間部分為PN結的形成過程，示意載流子的擴散作用大于漂移作用(用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向)。下邊部分為PN結的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態平衡。

半導體激光器的優點

半導體激光器由于其相對較小的尺寸和功耗，在通信和信息處理等領域中得到廣泛應用。具有瞬態響應好、開關速度快、壽命長、很小的能耗和體積、制造工藝簡單等優點。在醫療、現代制造業以及化學、物理學等領域也得到了廣泛的應用。

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