IBM聯手三星發布“突破性”芯片設計，可減少85%能耗
來源:智通財經
智通財經APP獲悉，最近，IBM(IBM.US)表示，其與三星合作在半導體設計上取得了“突破”，可以減少85%的能源消耗。
據悉，IBM與韓國三星共同發布“垂直傳輸場效應晶體管”(VTFET) 芯片設計。與當前的鰭式場效應晶體管(FinFET)相比，VTFET 有望帶來翻倍的性能，減少 85% 能耗。
IBM在新聞稿中列出了這項技術帶來的潛在好處，包括：開發新的芯片架構，延長手機待機時間至一個多星期，擴展物聯網(IoT)應用，減少能源密集型流程的能耗等。
頭圖來源：123RF
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